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微波元器件
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AMCOM


AMCOM是美国领先的微波设计制造公司,成立于1996年,公司主要产品包括功率场效应晶体管FET射频晶体管MMIC功率放大器混合放大器模块RFDC连接器的高功率放大器模块,AMCOM定制产品包括所有前端组件,如低噪声放大器,功率放大器,开关,衰减器,移相器和上/下变频器。AMCOM尽一切努力满足客户的性能要求,包括尺寸和重量。


产品主要优势:高功率高效率宽带线性等功率放大器


RF射频晶体管:分立功率GaN HEMTGaAs FET(退避时线性良好)和GaAs pHEMT(良好的功率密度和效率)。频率范围:DC-18GHZ、增益范围9-23dB.


MMIC放大器GaN MMIC功率放大器,GaN MMICGaAs MMIC功率放大器GaAs MMIC,适用于用于VSATITU应用。频率范围:DC-16GHZ,增益范围13-34dB.


混合放大器模块:GaN功率放大器,通用模块和GaAs功率放大器模块。频率范围:0.005-40GHZ,增益范围17-60dB


混合电路的定制设计

输出功率从几瓦到几百瓦。

频率从1MHz60GHz

使用RFDC连接器,可以将其嵌入系统。

模块,贴片或嵌入式封装。

包括单个DC电压偏置,电压调节,温度补偿,RF信号检测,自我保护电路等。

我们的工程师设计经验包括100多个成功开发的电源模块。

定制设计的模块提供适合您现有产品的表格功能。


MMIC电路的定制设计

功率放大器,低噪声放大器,移相器,衰减器,上变频器,下变频器和开关。

采用陶瓷或塑料封装的智能紧凑设计。

频率高达60GHz

我们的设计团队成功开发了超过50MMIC电路。


可以为全球客户提供定制,请与我们销售代表联络。

↓ 展开

射频晶体管

型号 描述 货期 库存
AM050WN-CU-R DC-6GHz/Gain=16.5dB/p1dB=41.7dBm 3-4周 110
AM100WN-CU-R DC-6GHz/Gain=14dB/p1dB=44.5dBm 3-4周 110
AM025WN-BI-R DC-8GHz/Gain=16dB/p1dB=38.9dBm 3-4周 110
AM012WN-BI-R DC-10GHz/Gain=17dB/p1dB=36.1dBm 3-4周 110
AM005WN-BI-R DC-12GHz/Gain=15dB/p1dB=32dBm 3-4周 110
AM025WN-00-R DC-15GHz/Gain=21dB/p1dB=38.9dBm 3-4周 110
AM012WN-00-R DC-15GHz/Gain=22dB/p1dB=36.1dBm 3-4周 110
AM005WN-00-R DC-18GHz/Gain=23dB/p1dB=32dBm 3-4周 110
AM006MX-QG-R DC-6GHz/Gain=13dB/p1dB=22dBm 3-4周 110
AM012MX-QG-R DC-6GHz/Gain=13.5dB/p1dB=25dBm 3-4周 110
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射频晶体管介绍

美国AMCOM的射频RF晶体管产品,包含射频功率晶体管,分立式功率晶体管GaNHEMTs,场效应晶体管GaAs FETs,分立式晶体管组件GaAs pHEMTs,产品具有优异的线性和宽带优势,并且拥有很好的功率密度和输出效率。此产品系列,均可以提供美国工厂现货和国内现货。产品出口控制等级符合美国EAR99正常可出口标准。


重要参数:

率:DC-18 GHZ

增益:9-23 dB

P1dB:22-44.5 dBm

PSAT:25.5-46 dBm

VD:4-28 V

符合ROHS标准

P波段、L波段、S波段、C波段、X波段Ku波段


应用范围:

C波段VSAT雷达蜂窝无线通信基站无线本地环路驱动放大器无线电无线局域网测试仪表航空电子通信、WLAN、中继器和超局域网高动态接收机宽带和窄带放大器干扰机等多种应用


AMCOM拥有一支专门的客户支持团队,并以其为客户确定具有成本效益的解决方案的传统而自豪。请联系我们,了解您的微波元件需求。



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