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微波元器件
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AMCOM


AMCOM是美国领先的微波设计制造公司,成立于1996年,公司主要产品包括功率场效应晶体管FET射频晶体管MMIC功率放大器混合放大器模块RFDC连接器的高功率放大器模块,AMCOM定制产品包括所有前端组件,如低噪声放大器,功率放大器,开关,衰减器,移相器和上/下变频器。AMCOM尽一切努力满足客户的性能要求,包括尺寸和重量。


产品主要优势:高功率高效率宽带线性等功率放大器


RF射频晶体管:分立功率GaN HEMTGaAs FET(退避时线性良好)和GaAs pHEMT(良好的功率密度和效率)。频率范围:DC-18GHZ、增益范围9-23dB.


MMIC放大器GaN MMIC功率放大器,GaN MMICGaAs MMIC功率放大器GaAs MMIC,适用于用于VSATITU应用。频率范围:DC-16GHZ,增益范围13-34dB.


混合放大器模块:GaN功率放大器,通用模块和GaAs功率放大器模块。频率范围:0.005-40GHZ,增益范围17-60dB


混合电路的定制设计

输出功率从几瓦到几百瓦。

频率从1MHz60GHz

使用RFDC连接器,可以将其嵌入系统。

模块,贴片或嵌入式封装。

包括单个DC电压偏置,电压调节,温度补偿,RF信号检测,自我保护电路等。

我们的工程师设计经验包括100多个成功开发的电源模块。

定制设计的模块提供适合您现有产品的表格功能。


MMIC电路的定制设计

功率放大器,低噪声放大器,移相器,衰减器,上变频器,下变频器和开关。

采用陶瓷或塑料封装的智能紧凑设计。

频率高达60GHz

我们的设计团队成功开发了超过50MMIC电路。


可以为全球客户提供定制,请与我们销售代表联络。

↓ 展开

射频微波功率放大器MMIC 射频功率放大器芯片

型号 描述 货期 库存
AM003536WM-BM-R 0.01-3.5GHz/Gain=23dB/p1dB=35dBm 3-4周 100
AM003536WM-FM-R 0.01-3.5GHz/Gain=23dB/p1dB=35dBm 3-4周 100
AM008030WM-BM-R 0.05-10GHz/Gain=18dB/p1dB=30dBm 3-4周 100
AM008030WM-FM-R 0.05-10GHz/Gain=18dB/p1dB=30dBm 3-4周 100
AM009023WM-BM-R 0.05-9GHz/Gain=21dB/p1dB=21dBm 3-4周 100
AM009023WM-FM-R 0.05-9GHz/Gain=21dB/p1dB=21dBm 3-4周 100
AM011037WM-BM-R 0.2-0.3GHz/Gain=31dB/p1dB=37dBm 3-4周 100
AM011037WM-FM-R 0.2-0.3GHz/Gain=31dB/p1dB=37dBm 3-4周 100
AM012020WM-BM-R 0.1-2GHz/Gain=30dB/p1dB=16dBm 3-4周 100
AM012020WM-FM-R 0.1-2GHz/Gain=30dB/p1dB=16dBm 3-4周 100
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射频微波功率放大器MMIC 射频功率放大器芯片介绍

AMCOM提供GaAs宽带MMIC功率放大器产品,超宽频率,P1dB功率可达38dBm,产品大部分可以出口中国。交付周期为1-2周,部分产品备用现货库存。


AMCOM的MMIC射频微波功率放大器芯片产品,包含GaN功率放大器、 GaAs功率放大器与功率放大器芯片等,并有针对VSAT和ITU应用产品,具有电路损耗小、噪声低、频带宽、动态范围大、功率大、附加效率高、抗电磁辐射能力强等特点。


AMCOM射频微波功率放大器芯片已广泛用于美国各种先进的微波回程、战术导弹、电子战、通信系统、陆海空基的各种先进的相控阵雷达(特别是机载和星载雷达),在美国民用商业的无线通信、个人卫星通信网、全球定位系统、直播卫星接收和毫米波自动防撞系统等方面已形成正在飞速发展的巨大市场。


重要参数

率:DC-16 GHZ

增益:13-38 dB

P1dB:21-41 dBm

PSAT:17-42 dBm

效率:20-40 %

VD:8-28 V

符合ROHS标准

P波段、L波段、S波段、C波段、X波段Ku波段


如若您需要购买该产品或选型,请点击右侧客服联系我们!!!


深圳市立维创展科技有限公司

电话:0755-83050846

Q Q:3312069749
邮箱:sales807@leadwayic.com.cn
地址:广东省深圳市福田区八卦岭工业区511栋810


产品一:AM003536WM-FM-R


频率:0.01-3.5 GHZ   增益:23 dB  P1dB:35 dBm

PSAT:36 dBm  效率:20 %  VD:20 V



更多的产品型号参数,请联系我们!


单片微波集成电路MMIC,即MMIC是Monolithic Microwave Integrated Circuit的缩写,它包括多种功能电路,如低噪声放大器(LNA)、功率放大器、混频器、上变频器、检波器、调制器、压控振荡器(VCO)、移相器、开关、MMIC收发前端,甚至整个发射/接收(T/R)组件(收发系统)。由于MMIC的衬底材料(如GaAs、InP)的电子迁移率较高、禁带宽度宽、工作温度范围大、微波传输性能好,所以MMIC具有电路损耗小、噪声低、频带宽、动态范围大、功率大、附加效率高、抗电磁辐射能力强等特点。




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