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微波元器件
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AMCOM


AMCOM是美国领先的微波设计制造公司,成立于1996年,公司主要产品包括功率场效应晶体管FET射频晶体管MMIC功率放大器混合放大器模块RFDC连接器的高功率放大器模块,AMCOM定制产品包括所有前端组件,如低噪声放大器,功率放大器,开关,衰减器,移相器和上/下变频器。AMCOM尽一切努力满足客户的性能要求,包括尺寸和重量。


产品主要优势:高功率高效率宽带线性等功率放大器


RF射频晶体管:分立功率GaN HEMTGaAs FET(退避时线性良好)和GaAs pHEMT(良好的功率密度和效率)。频率范围:DC-18GHZ、增益范围9-23dB.


MMIC放大器GaN MMIC功率放大器,GaN MMICGaAs MMIC功率放大器GaAs MMIC,适用于用于VSATITU应用。频率范围:DC-16GHZ,增益范围13-34dB.


混合放大器模块:GaN功率放大器,通用模块和GaAs功率放大器模块。频率范围:0.005-40GHZ,增益范围17-60dB


混合电路的定制设计

输出功率从几瓦到几百瓦。

频率从1MHz60GHz

使用RFDC连接器,可以将其嵌入系统。

模块,贴片或嵌入式封装。

包括单个DC电压偏置,电压调节,温度补偿,RF信号检测,自我保护电路等。

我们的工程师设计经验包括100多个成功开发的电源模块。

定制设计的模块提供适合您现有产品的表格功能。


MMIC电路的定制设计

功率放大器,低噪声放大器,移相器,衰减器,上变频器,下变频器和开关。

采用陶瓷或塑料封装的智能紧凑设计。

频率高达60GHz

我们的设计团队成功开发了超过50MMIC电路。


可以为全球客户提供定制,请与我们销售代表联络。

↓ 展开

GaN功率放大器模块 GaAs功率放大器模块

型号 描述 货期 库存
AM07512043SF-2H 频率(千兆赫)7.5-12增益(dB)19PSAT(DBM)43效率(%)15 3-4周 9999
AM072239UM-2H 频率(千兆赫)0.7-2.2增益(dB)30PSAT(DBM)39效率(%)25 3-4周 9999
AM153540UM-2H 频率(千兆赫)1.5-3.5增益(dB)21PSAT(DBM)39.5效率(%)35 3-4周 9999
AM204437UM-3H 频率(千兆赫)2.0-4.4增益(dB)32PSAT(DBM)37效率(%)25 3-4周 9999
AM254038UM-2H 频率(千兆赫)2.5-4.0增益(dB)18PSAT(DBM)39效率(%)30 3-4周 9999
AM264240UM-2H 频率(千兆赫)2.6-4.2增益(dB)20PSAT(DBM)40效率(%)35 3-4周 9999
AM357039UM-2H 频率(千兆赫)3.5-7.0增益(dB)21PSAT(DBM)38.5效率(%)25 3-4周 9999
AM559538UM-3H 频率(千兆赫)5.5-9.5增益(dB)24PSAT(DBM)38效率(%)25 3-4周 9999
AM07511037UM-3H 频率(千兆赫)7.5-11增益(dB)25PSAT(DBM)37效率(%)30 3-4周 9999
AM08011034UM-3H 频率(千兆赫)8.0〜11增益(dB)25PSAT(DBM)34效率(%)20 3-4周 9999
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GaN功率放大器模块 GaAs功率放大器模块介绍


美国AMCOM的混合放大器模块包括GaN功率放大器,通用模块和GaAs功率放大器模块。美国AMCOM公司已成为领先的微波设计组织,其中包括功率FETMMIC功率放大器,以及具有RFDC连接器的高功率放大器模块,可随时用于微波系统。我们的特色产品之一是高功率,宽带,高效功率放大器。AMCOM拥有制造最先进产品的所有专业知识,人力,空间和设备。我们的一些功能包括:有源器件设计,MMIC设计和功率放大器模块设计。此外,我们还是器件/ MMIC封装,模块组装和RF / DC测试方面的专家。对于有源器件,我们要么采购硅LDMOSGaN HEMT等部件,要么使用半导体代工厂制造我们自己的专有器件/ MMIC

AMCOM的一个专长是根据客户的特定需求定制设计MMIC和模块。定制产品包括所有前端组件,如低噪声放大器,功率放大器,开关,衰减器,移相器和上/下变频器。我们尽一切努力满足客户的性能要求,包括尺寸和重量。


重要参数

频率0.05-40 GHZ

增益16-60 dB

P1dB:27-51 dBm

PSAT:32-51 dBm

VD:5-50 V

符合ROHS标准

P波段、L波段、S波段、C波段、X波段、Ku波段、K波段、Ka波段


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